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單道次壓縮實(shí)驗(yàn)- 動態(tài)CCT曲線的測定 |
動態(tài)CCT采用壓縮試樣,壓縮卡具。選擇鎳鉻-鎳鋁熱電偶。動態(tài)CCT實(shí)驗(yàn)采用單道次壓縮或多道次壓縮實(shí)驗(yàn)界面完成試驗(yàn)。熱電偶類型選擇TK3。實(shí)驗(yàn)取一組多個試樣。實(shí)驗(yàn)前,先輸入試樣類型(圓形)、尺寸、變形前加熱制度、變形過程所需參數(shù)。隨后按照所輸入的參數(shù)進(jìn)行變形前加熱(一般在一定溫度保溫一段時間,使試樣奧氏體均勻,然后降到某一溫度)。加熱完畢后,按照之前所選擇的變形類型進(jìn)行變形。變形完成后,以一定的冷速進(jìn)行冷卻,同時,利用高靈敏徑向傳感器(C-Strain傳感器)測量試樣直徑的變化。具體參數(shù)輸入情況請參照單向壓縮實(shí)驗(yàn)。 繪制整個試驗(yàn)過程的試樣直徑變化量-溫度曲線;用切線法找到相變開始點(diǎn)、中間和結(jié)束點(diǎn),記下這些點(diǎn)的溫度-時間坐標(biāo)。 依次按照不同冷速對各個試樣進(jìn)行實(shí)驗(yàn),直到一組試樣做完。最后根據(jù)此組實(shí)驗(yàn)結(jié)果的相變點(diǎn)溫度-時間坐標(biāo)繪制CCT圖。 本文以“超細(xì)晶耐候鋼控軋控冷工藝的研究 ”實(shí)驗(yàn)為背景,來研究測定動態(tài)CCT曲線。 (1)實(shí)驗(yàn)工藝 將含Cu、P低炭鋼試樣以10℃/s的速度加熱到1150℃,保溫5min后以10℃/s的冷卻速度冷卻到850℃、950℃,保溫20s后進(jìn)行變形量0.4單道次變形,變形速率為1s-1,然后分別以0.5℃/s、1℃/s、2℃/s、5℃/s、10℃/s、15℃/s、20℃/s、30℃/s的冷卻速度冷卻到室溫,記錄冷卻過程中的熱膨脹曲線,進(jìn)行動態(tài)CCT曲線測定。實(shí)驗(yàn)工藝圖如下: 圖3.2.10 用熱膨脹法測定CCT曲線的實(shí)驗(yàn)方案示意圖 (2)實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析 圖3.2.11是實(shí)驗(yàn)鋼的950℃,真應(yīng)變?yōu)?.4的變形后的CCT曲線。圖3.2.12是實(shí)驗(yàn)鋼850℃,0.4變形后的CCT曲線。 對比圖3.2.11和3.2.12可以發(fā)現(xiàn),動態(tài)CCT曲線,保溫階段的溫度高時測得的曲線都低于溫度低時測得的曲線。這種現(xiàn)象在動態(tài)CCT曲線中表現(xiàn)的更明顯。這是由于高溫變形時,變形后的冷卻過程中奧氏體可以發(fā)生再結(jié)晶、回復(fù)等作用,降低了殘余變形能,從而降低了相變溫度。而在低溫變形時,奧氏體的再結(jié)晶及晶粒長大的作用收到抑止,殘留在金屬內(nèi)的變形能比較大,更容易誘導(dǎo)相變的發(fā)生。相反的,保溫溫度低時,奧氏體晶粒比較細(xì)小,形核位置多,合金元素析出物多,形核較容易,所以升高了相變溫度。 |
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